科研设备主要应用于科研领域,适合大专院校、研究院所使用。其特点是:
● 强调参数的趋极限性,为各种可能的科研项目提供最佳实验参数;
● 自行配置参数的灵活性高,操作略微复杂,要求操作者对离子注入的物理原理有一定了解;
● 不强调产能和效率,仅考虑少量的样品处理,样品处理时间以实验需求可能会较长。
BPR1型科研用离子注入机,其最显著的特征是无离子筛选系统。BPR1将靶材电离后不加区分(不区分离子类型,不区分同位素,不区分离子价态)地全部注入到工件基材内,对于金属表面改性和其它不区分离子能量的应用而言,这是一款性价比极优的设备。
BPR1型离子注入机的离子源可选,您可以根据需要选择最适合的离子源。
BPR1型离子注入机的其它一般参数如下:
*引出电压: | 0~80kV |
*引出束流: | 0~20mA |
不均匀性: | ≤8% |
束斑尺寸: | Φ100mm~Φ350mm |
*极限真空: | 5×10-5Pa |
*工作真空: | 6×10-4~2×10-3Pa |
-- 带*号指标表示用户可以提出更高的定制要求
-- BPR1可叠加各种可选部件
BPR2型离子注入机在BPR1的基础上增加了磁筛选器,可以筛选出纯净的离子。由于增加了磁筛选器,其真空腔也从1个增加为2个。
BPR2型离子注入机的离子源可选,您可以根据需要选择最适合的离子源。
BPR2型离子注入机的其它一般参数如下:
*引出电压: | 0~80kV |
*引出束流: | 0~5mA |
不均匀性: | ≤8% |
束斑尺寸: | 15mm×15mm |
*磁筛选能力: | 40(m/Δm) |
*极限真空: | 5×10-5Pa |
*样品腔工作真空: | 1×10-4~2×10-3Pa |
-- 带*号指标表示用户可以提出更高的定制要求
-- BPR2可叠加各种可选部件
工业设备可应用于工业生产,设备特性主要强调设备的产能以及工作稳定性,相对来说参数可调范围较窄。由于产能方面的要求以及流水线生产的要求,会增加较多的离子源、真空腔和其它机械结构,因此通常价格比科研型的设备高一些。
BPF1型离子注入机是专门为金属表面处理生产线配备的设备,材料处理有卷对卷和块对块两种形式可选。
可注入离子类型: | 气体/金属 |
*引出电压: | 50kV |
*处理材料幅宽: | 600mm |
*处理能力: | 200m/hr |
-- 带*号指标表示用户可以提出更高的定制要求
BMF1是一款复合镀膜机,它使用了离子注入和真空镀膜的符合技术,不仅可以处理金属,而且可以对高分子聚合物、纸张、陶瓷等材料镀膜。材料处理有卷对卷和块对块两种形式可选。
*引出电压: | 50kV |
*处理材料幅宽: | 600mm |
*处理能力: | 200m/hr |
-- 带*号指标表示用户可以提出更高的定制要求
请参看以下PTFE膜镀金属膜的效果检测
以及氧化铝陶瓷镀金属膜的效果检测
除了提供设备整机以外,博锐天成也提供各种离子注入机、镀膜机部件。这些部件可以在您选购设备的基础上叠加购买,也可单独购买。
博锐天成依靠自身的科研能力陆续开发出多种离子源,主要包括:
ECR(电子回旋共振)源
● 产生气体粒子如N+、O+、Ar+、H+、He+等
● 自动调节微波功率和进气量,引出束流长时间稳定
● 离子源自动调节三销钉调配器,离子源工作状态稳定
● 可工作于直流模式
● 可工作于脉冲模式,频率5-500Hz,占空比1-90%
● 引出束流强度可大于100mA,工作电压可达150kV
● 束斑在Φ150mm范围内不均匀度小于正负8%
● 工作可靠、稳定性高、寿命长。我公司研制了多种系列的ECR离子源,均可连续稳定工作300小时以上。
潘宁源(Penning ion source)
● 可以同时产生金属离子和气体离子,能够在一个离子源上实现气体和金属两种离子的共同注入。
● 体积小、束流较强,工作稳定可靠。
● 特别适合于对离子注入种类需求多样,注入工艺复杂的一些处理工艺。
● 特别适合于材料表面的改性研究工作。
麦瓦源(Mevva ion source)
● 可将固态金属和固态导电非金属材料变为离子,通常用于产生:Cr+、C+、Fe+、Ti+、Ni+、Au+等。
● 离子纯度高,束流强度大,束流容易发散。
● 束斑在Φ300mm范围内不均匀度小于±7%。
● 离子源最大束流可达50mA。
● 博锐天成解决了该类离子源寿命不稳定的问题,离子源寿命仅受靶材总量及消耗速度的影响,稳定工作时间超过100小时。
● 特别适合材料的表面处理。
博锐天成提供工件靶台产品,主要功能有高温、低温、运动三个方面,您可单一选择具备以上三种功能其中一种的工件靶台,也可选择任意两个或三个功能叠加的工件靶台产品。
低温工件靶台
● 温度控制范围:常温至-150摄氏度
● 温度控制精度:±1摄氏度
● 冷媒:液氮
● PLC 温度控制系统
● 真空密封,真空度优于0.1 Pa
高温工件靶台
● 温度控制范围:常温至600摄氏度
● 温度控制精度:±1摄氏度
● 加热方式:热电阻
● PLC 温度控制系统
● 真空密封,真空度优于0.1 Pa
运动工件靶台
● 运动方式:直线运动
● 速度:0 – 20 mm/s
● 重复定位精度:0.2mm
● 采用可移动式法拉第桶收集离子束。
● 测量精准,能有效抑制二次电子。
● 测量范围:0.1μA/cm2-100μA/cm2。
● 采用波纹管密封,运动不影响真空性能。